Infineon Technologies - IPG20N04S408AATMA1

KEY Part #: K6525190

IPG20N04S408AATMA1 قیمت گذاری (USD) [121356قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.30478
  • 5,000 pcs$0.28607

شماره قطعه:
IPG20N04S408AATMA1
شرکت تولید کننده:
Infineon Technologies
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: تریستورها - SCR, ترانزیستورها - IGBTs - Arrays, ترانزیستورها - اهداف ویژه, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - RF, ترانزیستورها - Unjunction قابل برنامه ریزی, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها and دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N04S408AATMA1 electronic components. IPG20N04S408AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N04S408AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S408AATMA1 ویژگی های محصول

شماره قطعه : IPG20N04S408AATMA1
شرکت تولید کننده : Infineon Technologies
شرح : MOSFET 2N-CH 8TDSON
سلسله : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : 2 N-Channel (Dual)
ویژگی FET : Standard
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 40V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 7.6 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 2940pF @ 25V
قدرت - حداکثر : 65W
دمای کارکرد : -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته / کیس : 8-PowerVDFN
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : PG-TDSON-8-10

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.