Vishay Siliconix - SI9926BDY-T1-E3

KEY Part #: K6524376

[3852قطعه سهام]


    شماره قطعه:
    SI9926BDY-T1-E3
    شرکت تولید کننده:
    Vishay Siliconix
    توصیف همراه با جزئیات:
    MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    در انبار
    ماندگاری:
    یک سال
    تراشه از:
    هنگ کنگ
    RoHS:
    روش پرداخت:
    راه حمل و نقل:
    دسته بندی های خانوادگی:
    شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Single, دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها, دیودها - یکسو کننده ها - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - RF, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها, تریستورها - SCR ها - ماژول ها, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض and دیودها - یکسو کننده های پل را ارائه می دهد ...
    مزیت رقابتی:
    We specialize in Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-E3 electronic components. SI9926BDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI9926BDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI9926BDY-T1-E3 ویژگی های محصول

    شماره قطعه : SI9926BDY-T1-E3
    شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
    شرح : MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
    سلسله : TrenchFET®
    وضعیت قسمت : Obsolete
    نوع FET : 2 N-Channel (Dual)
    ویژگی FET : Logic Level Gate
    تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 20V
    جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 6.2A
    Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
    Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
    ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : -
    قدرت - حداکثر : 1.14W
    دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
    نوع نصب : Surface Mount
    بسته / کیس : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : 8-SO

    شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید