شماره قطعه :
SI9926BDY-T1-E3
شرکت تولید کننده :
Vishay Siliconix
شرح :
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ویژگی FET :
Logic Level Gate
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
20V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
6.2A
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
-
دمای کارکرد :
-55°C ~ 150°C (TJ)
بسته / کیس :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
8-SO