اگر مکان شما ذکر نشده است ، لطفا یکی از موارد زیر را انتخاب کنید:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

اگر مکان شما ذکر نشده است ، لطفا یکی از موارد زیر را انتخاب کنید:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. خانه
  2. محصولات
  3. محصولات نیمه هادی گسسته
  4. ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Arrays
  5. EPC2110ENGRT

EPC - EPC2110ENGRT

KEY Part #: K6524902

EPC2110ENGRT قیمت گذاری (USD) [91507قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.45551
  • 2,500 pcs$0.45324
شماره قطعه:
EPC2110ENGRT
شرکت تولید کننده:
EPC
توصیف همراه با جزئیات:
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: تریستورها - SCR, تریستورها - TRIAC, دیودها - RF, دیودها - یکسو کننده ها - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, تریستورها - DIAC ، SIDAC, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - RF and ترانزیستور - IGBTs - تک را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in EPC EPC2110ENGRT electronic components. EPC2110ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2110ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2110ENGRT ویژگی های محصول

شماره قطعه : EPC2110ENGRT
شرکت تولید کننده : EPC
شرح : GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
سلسله : eGaN®
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source
ویژگی FET : GaNFET (Gallium Nitride)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 120V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 3.4A
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 2.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.8nC @ 5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 80pF @ 60V
قدرت - حداکثر : -
دمای کارکرد : -40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته / کیس : Die
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : Die
شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • FDG6322C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

  • SI1900DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.

  • FDY4000CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC89-6.

  • ZXMN3AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP.

  • SI6926ADQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP.

  • STC5DNF30V

    STMicroelectronics

    MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP.

قطعات داغ