شماره قطعه :
IPG20N04S4L08AATMA1
شرکت تولید کننده :
Infineon Technologies
شرح :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
سلسله :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ویژگی FET :
Logic Level Gate
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
40V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
8.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
2.2V @ 22µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
3050pF @ 25V
دمای کارکرد :
-55°C ~ 175°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
PG-TDSON-8-10