شماره قطعه :
APTMC60TL11CT3AG
شرکت تولید کننده :
Microsemi Corporation
شرح :
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
نوع FET :
4 N-Channel (Three Level Inverter)
ویژگی FET :
Silicon Carbide (SiC)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
1200V (1.2kV)
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
950pF @ 1000V
دمای کارکرد :
-40°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
SP3