شماره قطعه :
APTSM120AM09CD3AG
شرکت تولید کننده :
Microsemi Corporation
شرح :
MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ویژگی FET :
Silicon Carbide (SiC)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
1200V (1.2kV)
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
3V @ 9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1224nC @ 20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
23000pF @ 1000V
دمای کارکرد :
-40°C ~ 175°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
Module