شرکت تولید کننده :
Rohm Semiconductor
شرح :
MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
فن آوری :
SiCFET (Silicon Carbide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
1200V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
14A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
18V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
364 mOhm @ 4A, 18V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
4V @ 1.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 18V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
667pF @ 800V
قطع برق (حداکثر) :
108W (Tc)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
TO-247