شرکت تولید کننده :
Infineon Technologies
شرح :
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
فن آوری :
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
20V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta), 12A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
900pF @ 10V
دمای کارکرد :
-55°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
-