Vishay Siliconix - SI7938DP-T1-GE3

KEY Part #: K6525184

SI7938DP-T1-GE3 قیمت گذاری (USD) [118007قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.31343
  • 3,000 pcs$0.29366

شماره قطعه:
SI7938DP-T1-GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور), ترانزیستور - IGBTs - تک, تریستورها - DIAC ، SIDAC, دیودها - یکسو کننده های پل, تریستورها - TRIAC, ترانزیستورها - اهداف ویژه, ترانزیستورها - IGBTs - Arrays and ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Single را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SI7938DP-T1-GE3 electronic components. SI7938DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7938DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7938DP-T1-GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SI7938DP-T1-GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
سلسله : TrenchFET®
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : 2 N-Channel (Dual)
ویژگی FET : Standard
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 40V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 60A
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 5.8 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 2300pF @ 20V
قدرت - حداکثر : 46W
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته / کیس : PowerPAK® SO-8 Dual
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : PowerPAK® SO-8 Dual

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.