Vishay Siliconix - SQD19P06-60L_GE3

KEY Part #: K6416039

SQD19P06-60L_GE3 قیمت گذاری (USD) [130121قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.69823
  • 10 pcs$0.61670
  • 100 pcs$0.48746
  • 500 pcs$0.37802
  • 1,000 pcs$0.28230

شماره قطعه:
SQD19P06-60L_GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET P-CH 60V 20A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستور - IGBTs - ماژول, تریستورها - DIAC ، SIDAC, ماژول های درایور برق, تریستورها - TRIAC, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها and ترانزیستورها - Unjunction قابل برنامه ریزی را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SQD19P06-60L_GE3 electronic components. SQD19P06-60L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD19P06-60L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD19P06-60L_GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SQD19P06-60L_GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET P-CH 60V 20A TO252
سلسله : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : P-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 60V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 55 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 1490pF @ 25V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 46W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : TO-252, (D-Pak)
بسته / کیس : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.