شماره قطعه :
IXFN50N120SK
فن آوری :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
1200V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
48A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
20V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
2.8V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
115nC @ 20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
1895pF @ 1000V
دمای کارکرد :
-40°C ~ 175°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
SOT-227B
بسته / کیس :
SOT-227-4, miniBLOC