شماره قطعه :
SQM200N04-1M1L_GE3
شرکت تولید کننده :
Vishay Siliconix
شرح :
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
فن آوری :
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
40V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
200A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
413nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
20655pF @ 25V
قطع برق (حداکثر) :
375W (Tc)
دمای کارکرد :
-55°C ~ 175°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
TO-263-7
بسته / کیس :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)