Vishay Siliconix - SIE806DF-T1-E3

KEY Part #: K6408568

[582قطعه سهام]


    شماره قطعه:
    SIE806DF-T1-E3
    شرکت تولید کننده:
    Vishay Siliconix
    توصیف همراه با جزئیات:
    MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    در انبار
    ماندگاری:
    یک سال
    تراشه از:
    هنگ کنگ
    RoHS:
    روش پرداخت:
    راه حمل و نقل:
    دسته بندی های خانوادگی:
    شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها, ترانزیستورها - Unjunction قابل برنامه ریزی, دیودها - یکسو کننده ها - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, دیودها - زنر - آرایه ها, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - تک, دیودها - RF and دیودها - یکسو کننده های پل را ارائه می دهد ...
    مزیت رقابتی:
    We specialize in Vishay Siliconix SIE806DF-T1-E3 electronic components. SIE806DF-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIE806DF-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIE806DF-T1-E3 ویژگی های محصول

    شماره قطعه : SIE806DF-T1-E3
    شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
    شرح : MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
    سلسله : TrenchFET®
    وضعیت قسمت : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
    تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 30V
    جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
    ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 1.7 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 2V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
    Vgs (حداکثر) : ±12V
    ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 13000pF @ 15V
    ویژگی FET : -
    قطع برق (حداکثر) : 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
    نوع نصب : Surface Mount
    بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : 10-PolarPAK® (L)
    بسته / کیس : 10-PolarPAK® (L)

    شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید