شرح :
GAN TRANS 300V 150MO BUMPED DIE
فن آوری :
GaNFET (Gallium Nitride)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
300V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
4A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
5V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
150 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
194pF @ 240V
دمای کارکرد :
-40°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
Die