Vishay Siliconix - SIHG33N65EF-GE3

KEY Part #: K6397681

SIHG33N65EF-GE3 قیمت گذاری (USD) [11793قطعه سهام]

  • 1 pcs$3.37135
  • 10 pcs$3.03334
  • 100 pcs$2.49405
  • 500 pcs$2.08962
  • 1,000 pcs$1.82000

شماره قطعه:
SIHG33N65EF-GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - اهداف ویژه, تریستورها - TRIAC, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب, دیودها - زنر - آرایه ها, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها, ترانزیستورها - Unjunction قابل برنامه ریزی, دیودها - یکسو کننده ها - تک and تریستورها - DIAC ، SIDAC را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG33N65EF-GE3 electronic components. SIHG33N65EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG33N65EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG33N65EF-GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SIHG33N65EF-GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC
سلسله : -
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : N-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 650V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 31.6A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 109 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 171nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 4026pF @ 100V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 313W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Through Hole
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : TO-247AC
بسته / کیس : TO-247-3

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.