Diodes Incorporated - ZXMN10A11GTA

KEY Part #: K6407572

ZXMN10A11GTA قیمت گذاری (USD) [257918قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.14341
  • 1,000 pcs$0.12877

شماره قطعه:
ZXMN10A11GTA
شرکت تولید کننده:
Diodes Incorporated
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستور - FET ، MOSFET - RF, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها, ترانزیستور - IGBTs - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - RF, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب, تریستورها - TRIAC and ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN10A11GTA electronic components. ZXMN10A11GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN10A11GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN10A11GTA ویژگی های محصول

شماره قطعه : ZXMN10A11GTA
شرکت تولید کننده : Diodes Incorporated
شرح : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
سلسله : -
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : N-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 100V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 350 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.4nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 274pF @ 50V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 2W (Ta)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : SOT-223
بسته / کیس : TO-261-4, TO-261AA

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR8729TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 58A DPAK.