شماره قطعه :
BSM080D12P2C008
شرکت تولید کننده :
Rohm Semiconductor
شرح :
SIC POWER MODULE-1200V-80A
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ویژگی FET :
Silicon Carbide (SiC)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
1200V (1.2kV)
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
-
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
4V @ 13.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
800pF @ 10V
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
Module