شماره قطعه :
1EDN8511BXUSA1
شرکت تولید کننده :
Infineon Technologies
پیکربندی محور :
Half-Bridge, Low-Side
نوع دروازه :
N-Channel, P-Channel MOSFET
تامین کننده ولتاژ :
8V ~ 20V
ولتاژ منطق - VIL، VIH :
1.2V, 1.9V
جریان - خروجی قله (منبع ، سینک) :
4A, 8A
نوع ورودی :
Inverting, Non-Inverting
ولتاژ جانبی بالا - حداکثر (Bootstrap) :
-
زمان ظهور / سقوط (نوع) :
6.5ns, 4.5ns
دمای کارکرد :
-40°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
PG-SOT23-6-2