Vishay Siliconix - SI7703EDN-T1-E3

KEY Part #: K6397612

SI7703EDN-T1-E3 قیمت گذاری (USD) [135773قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.27242
  • 3,000 pcs$0.25581

شماره قطعه:
SI7703EDN-T1-E3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Single, تریستورها - DIAC ، SIDAC, دیودها - RF, ترانزیستورها - Unjunction قابل برنامه ریزی, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, دیودها - یکسو کننده ها - تک, ترانزیستور - IGBTs - تک and ترانزیستور - IGBTs - ماژول را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-E3 electronic components. SI7703EDN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7703EDN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7703EDN-T1-E3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SI7703EDN-T1-E3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
سلسله : TrenchFET®
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : P-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 20V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 4.3A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 1V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (حداکثر) : ±12V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : -
ویژگی FET : Schottky Diode (Isolated)
قطع برق (حداکثر) : 1.3W (Ta)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : PowerPAK® 1212-8
بسته / کیس : PowerPAK® 1212-8

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.