Vishay Siliconix - SI7153DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396188

SI7153DN-T1-GE3 قیمت گذاری (USD) [381828قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.09687

شماره قطعه:
SI7153DN-T1-GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET P-CH 30V 18A POWERPAK1212.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - RF, دیودها - زنر - آرایه ها, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها, ترانزیستور - IGBTs - ماژول, ماژول های درایور برق and ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SI7153DN-T1-GE3 electronic components. SI7153DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7153DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7153DN-T1-GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SI7153DN-T1-GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET P-CH 30V 18A POWERPAK1212
سلسله : -
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : P-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 30V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 9.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±25V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 3600pF @ 15V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 52W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : PowerPAK® 1212-8
بسته / کیس : PowerPAK® 1212-8

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN8601

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.

  • FDN357N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3.

  • NDS0605

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23.