Vishay Siliconix - SI2316BDS-T1-GE3

KEY Part #: K6419502

SI2316BDS-T1-GE3 قیمت گذاری (USD) [367832قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.10056
  • 3,000 pcs$0.09238

شماره قطعه:
SI2316BDS-T1-GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب, دیودها - یکسو کننده های پل, تریستورها - TRIAC, دیودها - یکسو کننده ها - تک, ترانزیستور - FET ، MOSFET - RF, ترانزیستورها - Unjunction قابل برنامه ریزی, ترانزیستور - JFET and دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SI2316BDS-T1-GE3 electronic components. SI2316BDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2316BDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2316BDS-T1-GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SI2316BDS-T1-GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
سلسله : TrenchFET®
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : N-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 30V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 50 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 350pF @ 15V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : SOT-23-3 (TO-236)
بسته / کیس : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید