BAS116,235 قیمت گذاری (USD) [2788354قطعه سهام]
- 1 pcs$0.01526
- 10,000 pcs$0.01518
- 30,000 pcs$0.01429
- 50,000 pcs$0.01339
- 100,000 pcs$0.01190
- شماره قطعه:
- BAS116,235
- شرکت تولید کننده:
- Nexperia USA Inc.
- توصیف همراه با جزئیات:
- DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE LOW LEAKAGE TAPE-11
- Manufacturer's standard lead time:
- در انبار
- ماندگاری:
- یک سال
- تراشه از:
- هنگ کنگ
- RoHS:
- روش پرداخت:
-
- راه حمل و نقل:
- دسته بندی های خانوادگی:
- شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - RF, تریستورها - SCR ها - ماژول ها, تریستورها - DIAC ، SIDAC, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها, دیودها - زنر - تک, دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور) and ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب را ارائه می دهد ...
- مزیت رقابتی:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS116,235 electronic components. BAS116,235 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116,235, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116,235 ویژگی های محصول
شماره قطعه :
BAS116,235
شرکت تولید کننده :
Nexperia USA Inc.
شرح :
DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23
سلسله :
-
وضعیت قسمت :
Active
نوع دیود :
Standard
ولتاژ - Reverse DC (Vr) (حداکثر) :
75V
فعلی - میانگین اصلاح شده (Io) :
215mA (DC)
ولتاژ - به جلو (Vf) (حداکثر) @ If :
1.25V @ 150mA
سرعت :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
زمان بازیابی معکوس (trr) :
3µs
جریان - نشت معکوس @ Vr :
5nA @ 75V
Capacitance @ Vr، F :
2pF @ 0V, 1MHz
نوع نصب :
Surface Mount
بسته / کیس :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
TO-236AB
دمای کارکرد - اتصال :
150°C (Max)
آخرین خبرها
شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
قطعات داغ
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18