شماره قطعه :
DMN10H170SFG-7
شرکت تولید کننده :
Diodes Incorporated
شرح :
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
فن آوری :
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
100V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
122 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
14.9nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
870.7pF @ 25V
قطع برق (حداکثر) :
940mW (Ta)
دمای کارکرد :
-55°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
PowerDI3333-8