Vishay Siliconix - SQ4080EY-T1_GE3

KEY Part #: K6419958

SQ4080EY-T1_GE3 قیمت گذاری (USD) [147465قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.25082
  • 2,500 pcs$0.21196

شماره قطعه:
SQ4080EY-T1_GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Single, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب, دیودها - زنر - آرایه ها, ترانزیستور - FET ، MOSFET - RF, ماژول های درایور برق, دیودها - یکسو کننده ها - تک, ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Arrays and ترانزیستور - JFET را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SQ4080EY-T1_GE3 electronic components. SQ4080EY-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ4080EY-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ4080EY-T1_GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SQ4080EY-T1_GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
سلسله : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : N-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 150V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 85 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 1590pF @ 75V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 7.1W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : 8-SO
بسته / کیس : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید