شرکت تولید کننده :
Infineon Technologies
شرح :
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
فن آوری :
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
30V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
19A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
4.5 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
3710pF @ 15V
دمای کارکرد :
-55°C ~ 150°C (TA)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
-