Infineon Technologies - SPP11N60CFDHKSA1

KEY Part #: K6402169

[2797قطعه سهام]


    شماره قطعه:
    SPP11N60CFDHKSA1
    شرکت تولید کننده:
    Infineon Technologies
    توصیف همراه با جزئیات:
    MOSFET N-CH 600V 11A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    در انبار
    ماندگاری:
    یک سال
    تراشه از:
    هنگ کنگ
    RoHS:
    روش پرداخت:
    راه حمل و نقل:
    دسته بندی های خانوادگی:
    شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ماژول های درایور برق, دیودها - یکسو کننده ها - تک, دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, ترانزیستورها - اهداف ویژه, دیودها - یکسو کننده های پل, دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور) and ترانزیستور - JFET را ارائه می دهد ...
    مزیت رقابتی:
    We specialize in Infineon Technologies SPP11N60CFDHKSA1 electronic components. SPP11N60CFDHKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP11N60CFDHKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPP11N60CFDHKSA1 ویژگی های محصول

    شماره قطعه : SPP11N60CFDHKSA1
    شرکت تولید کننده : Infineon Technologies
    شرح : MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
    سلسله : CoolMOS™
    وضعیت قسمت : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
    تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 600V
    جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
    ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 10V
    Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 440 mOhm @ 7A, 10V
    Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 5V @ 500µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
    Vgs (حداکثر) : ±20V
    ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 1200pF @ 25V
    ویژگی FET : -
    قطع برق (حداکثر) : 125W (Tc)
    دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
    نوع نصب : Through Hole
    بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : PG-TO220-3-1
    بسته / کیس : TO-220-3

    شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
    • ZVN2106ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

    • LND150N3-G-P003

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

    • ZVN2110ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVP2110ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

    • BS170-D26Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • TK90S06N1L,LQ

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.