Vishay Siliconix - SIR872DP-T1-GE3

KEY Part #: K6418436

SIR872DP-T1-GE3 قیمت گذاری (USD) [63898قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.61193
  • 3,000 pcs$0.57332

شماره قطعه:
SIR872DP-T1-GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: دیودها - یکسو کننده های پل, دیودها - زنر - تک, ماژول های درایور برق, تریستورها - TRIAC, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور), دیودها - زنر - آرایه ها and تریستورها - DIAC ، SIDAC را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SIR872DP-T1-GE3 electronic components. SIR872DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR872DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR872DP-T1-GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SIR872DP-T1-GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
سلسله : TrenchFET®
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : N-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 150V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 53.7A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 2130pF @ 75V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : PowerPAK® SO-8
بسته / کیس : PowerPAK® SO-8

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.