Vishay Siliconix - SIA427ADJ-T1-GE3

KEY Part #: K6416948

SIA427ADJ-T1-GE3 قیمت گذاری (USD) [431769قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.08567
  • 3,000 pcs$0.08092

شماره قطعه:
SIA427ADJ-T1-GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب, ترانزیستورها - IGBTs - Arrays, ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Single, دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور), تریستورها - DIAC ، SIDAC, دیودها - زنر - آرایه ها and دیودها - RF را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SIA427ADJ-T1-GE3 electronic components. SIA427ADJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA427ADJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA427ADJ-T1-GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SIA427ADJ-T1-GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
سلسله : TrenchFET®
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : P-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 8V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 5V
Vgs (حداکثر) : ±5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 2300pF @ 4V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : PowerPAK® SC-70-6 Single
بسته / کیس : PowerPAK® SC-70-6

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.