Vishay Siliconix - SI7317DN-T1-GE3

KEY Part #: K6405029

SI7317DN-T1-GE3 قیمت گذاری (USD) [179935قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.20659
  • 3,000 pcs$0.20556

شماره قطعه:
SI7317DN-T1-GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها, ترانزیستور - IGBTs - ماژول, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - RF, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - تک, دیودها - یکسو کننده ها - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض and تریستورها - SCR ها - ماژول ها را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SI7317DN-T1-GE3 electronic components. SI7317DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7317DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7317DN-T1-GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SI7317DN-T1-GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8
سلسله : TrenchFET®
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : P-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 150V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.8nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 365pF @ 75V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : PowerPAK® 1212-8
بسته / کیس : PowerPAK® 1212-8

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید