Vishay Siliconix - SI5486DU-T1-GE3

KEY Part #: K6406390

[1336قطعه سهام]


    شماره قطعه:
    SI5486DU-T1-GE3
    شرکت تولید کننده:
    Vishay Siliconix
    توصیف همراه با جزئیات:
    MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET.
    Manufacturer's standard lead time:
    در انبار
    ماندگاری:
    یک سال
    تراشه از:
    هنگ کنگ
    RoHS:
    روش پرداخت:
    راه حمل و نقل:
    دسته بندی های خانوادگی:
    شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - RF, ترانزیستور - IGBTs - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب, دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور), ماژول های درایور برق, دیودها - یکسو کننده ها - تک, دیودها - یکسو کننده های پل and دیودها - زنر - تک را ارائه می دهد ...
    مزیت رقابتی:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5486DU-T1-GE3 electronic components. SI5486DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5486DU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5486DU-T1-GE3 ویژگی های محصول

    شماره قطعه : SI5486DU-T1-GE3
    شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
    شرح : MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
    سلسله : TrenchFET®
    وضعیت قسمت : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
    تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 20V
    جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
    ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V
    Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 8V
    Vgs (حداکثر) : ±8V
    ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 2100pF @ 10V
    ویژگی FET : -
    قطع برق (حداکثر) : 3.1W (Ta), 31W (Tc)
    دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
    نوع نصب : Surface Mount
    بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
    بسته / کیس : 8-PowerVDFN

    شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید