Vishay Siliconix - SIHP21N65EF-GE3

KEY Part #: K6398087

SIHP21N65EF-GE3 قیمت گذاری (USD) [18123قطعه سهام]

  • 1 pcs$2.16384
  • 10 pcs$1.93203
  • 100 pcs$1.58436
  • 500 pcs$1.28296
  • 1,000 pcs$1.02652

شماره قطعه:
SIHP21N65EF-GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, ترانزیستور - JFET, دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها, دیودها - یکسو کننده ها - تک, ترانزیستورها - اهداف ویژه, ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Single and ترانزیستورها - Unjunction قابل برنامه ریزی را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP21N65EF-GE3 electronic components. SIHP21N65EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP21N65EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP21N65EF-GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SIHP21N65EF-GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB
سلسله : -
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : N-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 650V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs (حداکثر) : ±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 2322pF @ 100V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 208W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Through Hole
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : TO-220AB
بسته / کیس : TO-220-3

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.