BAS21-E3-18 قیمت گذاری (USD) [2850394قطعه سهام]
- 1 pcs$0.01298
- 10,000 pcs$0.01200
- شماره قطعه:
- BAS21-E3-18
- شرکت تولید کننده:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- توصیف همراه با جزئیات:
- DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt2.5A 50ns
- Manufacturer's standard lead time:
- در انبار
- ماندگاری:
- یک سال
- تراشه از:
- هنگ کنگ
- RoHS:
- روش پرداخت:
-
- راه حمل و نقل:
- دسته بندی های خانوادگی:
- شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، از پیش تعصب, تریستورها - SCR ها - ماژول ها, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - تک, ترانزیستورها - Unjunction قابل برنامه ریزی, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, ترانزیستور - IGBTs - ماژول, ترانزیستورها - اهداف ویژه and ترانزیستور - JFET را ارائه می دهد ...
- مزیت رقابتی:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS21-E3-18 electronic components. BAS21-E3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS21-E3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS21-E3-18 ویژگی های محصول
شماره قطعه :
BAS21-E3-18
شرکت تولید کننده :
Vishay Semiconductor Diodes Division
شرح :
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
سلسله :
-
وضعیت قسمت :
Active
نوع دیود :
Standard
ولتاژ - Reverse DC (Vr) (حداکثر) :
200V
فعلی - میانگین اصلاح شده (Io) :
200mA
ولتاژ - به جلو (Vf) (حداکثر) @ If :
1.25V @ 200mA
سرعت :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
زمان بازیابی معکوس (trr) :
50ns
جریان - نشت معکوس @ Vr :
100nA @ 200V
Capacitance @ Vr، F :
5pF @ 0V, 1MHz
نوع نصب :
Surface Mount
بسته / کیس :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
SOT-23
دمای کارکرد - اتصال :
-55°C ~ 150°C
آخرین خبرها
شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
قطعات داغ
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T