شماره قطعه :
IPD65R650CEATMA1
شرکت تولید کننده :
Infineon Technologies
شرح :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
فن آوری :
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
650V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
10.1A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
3.5V @ 0.21mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
440pF @ 100V
ویژگی FET :
Super Junction
قطع برق (حداکثر) :
86W (Tc)
دمای کارکرد :
-40°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
PG-TO252-3
بسته / کیس :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63