GeneSiC Semiconductor - MBR600200CTR

KEY Part #: K6468517

توصیف همراه با جزئیات:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Reverse

دسته بندی های خانوادگی:: شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - اهداف ویژه, تریستورها - TRIAC, ترانزیستورها - IGBTs - Arrays, ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Arrays, ترانزیستور - JFET, ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Single, دیودها - زنر - تک and ترانزیستورها - Unjunction قابل برنامه ریزی را ارائه می دهد ...

مزیت رقابتی:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR electronic components. MBR600200CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

شماره قطعه : MBR600200CTR

شرکت تولید کننده : GeneSiC Semiconductor

شرح : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

سلسله : -

وضعیت قسمت : Active

پیکربندی دیود : 1 Pair Common Anode

نوع دیود : Schottky

ولتاژ - Reverse DC (Vr) (حداکثر) : 200V

جریان - میانگین تصحیح شده (Io) (در هر دیود) : 300A

ولتاژ - به جلو (Vf) (حداکثر) @ If : 920mV @ 300A

سرعت : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

زمان بازیابی معکوس (trr) : -

جریان - نشت معکوس @ Vr : 3mA @ 200V

دمای کارکرد - اتصال : -55°C ~ 150°C

نوع نصب : Chassis Mount

بسته / کیس : Twin Tower

بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : Twin Tower

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.
BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.
MMBD1405A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
BAS4005E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.