شماره قطعه :
IPN60R1K0CEATMA1
شرکت تولید کننده :
Infineon Technologies
فن آوری :
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
600V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
6.8A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
3.5V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
280pF @ 100V
قطع برق (حداکثر) :
5W (Tc)
دمای کارکرد :
-40°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
PG-SOT223