شماره قطعه :
DF200R12W1H3B27BOMA1
شرکت تولید کننده :
Infineon Technologies
شرح :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
ولتاژ - جمع شونده Emitter Breakdown (حداکثر) :
1200V
جریان - جمع کننده (ضبط) (حداکثر) :
30A
Vce (روشن) (حداکثر) @ Vge ، Ic :
1.3V @ 15V, 30A
جریان - قطع گردآورنده (حداکثر) :
1mA
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce :
2nF @ 25V
دمای کارکرد :
-40°C ~ 150°C
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
Module