شرکت تولید کننده :
Rohm Semiconductor
شرح :
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
وضعیت قسمت :
Not For New Designs
نوع ترانزیستور :
NPN - Pre-Biased
جریان - جمع کننده (ضبط) (حداکثر) :
200mA
ولتاژ - جمع شونده Emitter Breakdown (حداکثر) :
30V
مقاومت - پایه (R1) :
2.2 kOhms
مقاومت - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
افزایش جریان فعلی DC (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce :
140 @ 100mA, 2V
Vce اشباع (حداکثر) @ Ib، Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
جریان - قطع گردآورنده (حداکثر) :
500nA
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
VMT3