شماره قطعه :
APTGTQ200SK65T3G
شرکت تولید کننده :
Microsemi Corporation
شرح :
POWER MODULE - IGBT
ولتاژ - جمع شونده Emitter Breakdown (حداکثر) :
650V
جریان - جمع کننده (ضبط) (حداکثر) :
200A
Vce (روشن) (حداکثر) @ Vge ، Ic :
2.2V @ 15V, 200A
جریان - قطع گردآورنده (حداکثر) :
200µA
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce :
12nF @ 25V
دمای کارکرد :
-40°C ~ 175°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
SP3F