شماره قطعه :
DMN2600UFB-7
شرکت تولید کننده :
Diodes Incorporated
شرح :
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
فن آوری :
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
25V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
1.3A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.85nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
70.13pF @ 15V
قطع برق (حداکثر) :
540mW (Ta)
دمای کارکرد :
-55°C ~ 150°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
3-DFN1006 (1.0x0.6)