Samsung Semiconductor - K4B2G0846F-BYNB

KEY Part #: K7359656

[20824قطعه سهام]

شماره قطعه:: K4B2G0846F-BYNB

شرکت تولید کننده:: Samsung Semiconductor

توصیف همراه با جزئیات:: 2 Gb 256M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: در انبار

ماندگاری:: یک سال

تراشه از:: هنگ کنگ

RoHS:

روش پرداخت:

راه حمل و نقل:

دسته بندی های خانوادگی:: شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: LPDDR5, MODULE, LPDDR4, DDR3, GDDR5, DDR4, LPDDR3 and LPDDR4X را ارائه می دهد ...

مزیت رقابتی:: We specialize in Samsung Semiconductor K4B2G0846F-BYNB electronic components. K4B2G0846F-BYNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B2G0846F-BYNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4B2G0846F-BYNB ویژگی های محصول

شماره قطعه : K4B2G0846F-BYNB

شرکت تولید کننده : Samsung Semiconductor

شرح : 2 Gb 256M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production

سلسله : DDR3

تراکم : 2 Gb

سازمان. : 256M x 8

سرعت : 2133 Mbps

ولتاژ : 1.35 V

دما. : 0 ~ 85 °C

بسته : 78FBGA

وضعیت محصول : Mass Production

آخرین خبرها

Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology

Speed for the next generation of mobile devices

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology

Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP

Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM

[Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing

[Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.

Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time

NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید

K3UH5H50AM-AGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-EGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-JGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-AGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-EGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH7H70AM-AGCL

Samsung Semiconductor

64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

قطعات داغ

English فارسی