شرکت تولید کننده :
Transphorm
شرح :
GANFET N-CH 650V 36A TO247
وضعیت قسمت :
Not For New Designs
فن آوری :
GaNFET (Gallium Nitride)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) :
650V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C :
36A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) :
10V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs :
60 mOhm @ 22A, 8V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id :
2.6V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 8V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds :
2200pF @ 400V
قطع برق (حداکثر) :
125W (Tc)
دمای کارکرد :
-55°C ~ 175°C (TJ)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
TO-247-3