Vishay Siliconix - SI1404BDH-T1-GE3

KEY Part #: K6392835

SI1404BDH-T1-GE3 قیمت گذاری (USD) [390893قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.09510
  • 3,000 pcs$0.09462

شماره قطعه:
SI1404BDH-T1-GE3
شرکت تولید کننده:
Vishay Siliconix
توصیف همراه با جزئیات:
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: تریستورها - TRIAC, دیودها - یکسو کننده ها - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - تک, ترانزیستورها - FET ، MOSFET - Arrays, ترانزیستور - FET ، MOSFET - RF, دیودها - یکسو کننده های پل and ترانزیستورها - IGBTs - Arrays را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in Vishay Siliconix SI1404BDH-T1-GE3 electronic components. SI1404BDH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1404BDH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1404BDH-T1-GE3 ویژگی های محصول

شماره قطعه : SI1404BDH-T1-GE3
شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
شرح : MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
سلسله : TrenchFET®
وضعیت قسمت : Active
نوع FET : N-Channel
فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 30V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 238 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V
Vgs (حداکثر) : ±12V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 100pF @ 15V
ویژگی FET : -
قطع برق (حداکثر) : 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب : Surface Mount
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : SC-70-6 (SOT-363)
بسته / کیس : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید