Vishay Siliconix - SI7802DN-T1-GE3

KEY Part #: K6407823

[840قطعه سهام]


    شماره قطعه:
    SI7802DN-T1-GE3
    شرکت تولید کننده:
    Vishay Siliconix
    توصیف همراه با جزئیات:
    MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    در انبار
    ماندگاری:
    یک سال
    تراشه از:
    هنگ کنگ
    RoHS:
    روش پرداخت:
    راه حمل و نقل:
    دسته بندی های خانوادگی:
    شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: تریستورها - SCR ها - ماژول ها, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - RF, ترانزیستور - IGBTs - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, ترانزیستور - JFET, ترانزیستورها - IGBTs - Arrays, دیودها - ظرفیت متغیر (واریپس ، ورسور) and دیودها - زنر - آرایه ها را ارائه می دهد ...
    مزیت رقابتی:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7802DN-T1-GE3 electronic components. SI7802DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7802DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7802DN-T1-GE3 ویژگی های محصول

    شماره قطعه : SI7802DN-T1-GE3
    شرکت تولید کننده : Vishay Siliconix
    شرح : MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
    سلسله : TrenchFET®
    وضعیت قسمت : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
    تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 250V
    جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 1.24A (Ta)
    ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 435 mOhm @ 1.95A, 10V
    Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 3.6V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
    Vgs (حداکثر) : ±20V
    ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : -
    ویژگی FET : -
    قطع برق (حداکثر) : 1.5W (Ta)
    دمای کارکرد : -55°C ~ 150°C (TJ)
    نوع نصب : Surface Mount
    بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : PowerPAK® 1212-8
    بسته / کیس : PowerPAK® 1212-8

    شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید