ON Semiconductor - NTD5807NT4G

KEY Part #: K6407679

[8608قطعه سهام]


    شماره قطعه:
    NTD5807NT4G
    شرکت تولید کننده:
    ON Semiconductor
    توصیف همراه با جزئیات:
    MOSFET N-CH 40V 23A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    در انبار
    ماندگاری:
    یک سال
    تراشه از:
    هنگ کنگ
    RoHS:
    روش پرداخت:
    راه حمل و نقل:
    دسته بندی های خانوادگی:
    شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: ترانزیستورها - IGBTs - Arrays, دیودها - زنر - آرایه ها, ترانزیستور - JFET, دیودها - یکسو کننده ها - تک, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, تریستورها - SCR ها - ماژول ها, دیودها - RF and ترانزیستورها - اهداف ویژه را ارائه می دهد ...
    مزیت رقابتی:
    We specialize in ON Semiconductor NTD5807NT4G electronic components. NTD5807NT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD5807NT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTD5807NT4G ویژگی های محصول

    شماره قطعه : NTD5807NT4G
    شرکت تولید کننده : ON Semiconductor
    شرح : MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
    سلسله : -
    وضعیت قسمت : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
    تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 40V
    جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)
    ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 31 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
    Vgs (حداکثر) : ±20V
    ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 603pF @ 25V
    ویژگی FET : -
    قطع برق (حداکثر) : 33W (Tc)
    دمای کارکرد : -55°C ~ 175°C (TJ)
    نوع نصب : Surface Mount
    بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : DPAK
    بسته / کیس : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • ZVN4206AVSTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.