شرکت تولید کننده :
ON Semiconductor
شرح :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
نوع ترانزیستور :
NPN - Pre-Biased
جریان - جمع کننده (ضبط) (حداکثر) :
100mA
ولتاژ - جمع شونده Emitter Breakdown (حداکثر) :
50V
مقاومت - پایه (R1) :
4.7 kOhms
مقاومت - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
افزایش جریان فعلی DC (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce :
30 @ 5mA, 5V
Vce اشباع (حداکثر) @ Ib، Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
جریان - قطع گردآورنده (حداکثر) :
100nA (ICBO)
بسته / کیس :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
SOT-23-3 (TO-236)