Infineon Technologies - IPI05CN10N G

KEY Part #: K6407220

[1049قطعه سهام]


    شماره قطعه:
    IPI05CN10N G
    شرکت تولید کننده:
    Infineon Technologies
    توصیف همراه با جزئیات:
    MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    در انبار
    ماندگاری:
    یک سال
    تراشه از:
    هنگ کنگ
    RoHS:
    روش پرداخت:
    راه حمل و نقل:
    دسته بندی های خانوادگی:
    شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: دیودها - یکسو کننده ها - تک, ترانزیستورها - اهداف ویژه, دیودها - زنر - آرایه ها, ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - آرایه ها ، پیش مغرض, ترانزیستور - FET ، MOSFET - RF, ترانزیستور - IGBTs - ماژول, ترانزیستورها - IGBTs - Arrays and ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - تک را ارائه می دهد ...
    مزیت رقابتی:
    We specialize in Infineon Technologies IPI05CN10N G electronic components. IPI05CN10N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI05CN10N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI05CN10N G ویژگی های محصول

    شماره قطعه : IPI05CN10N G
    شرکت تولید کننده : Infineon Technologies
    شرح : MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
    سلسله : OptiMOS™
    وضعیت قسمت : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    فن آوری : MOSFET (Metal Oxide)
    تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss) : 100V
    جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن ، حداقل Rds روشن) : 10V
    Rds On (Max) @ Id ، Vgs : 5.4 mOhm @ 100A, 10V
    Vgs (هفتم) (حداکثر) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 181nC @ 10V
    Vgs (حداکثر) : ±20V
    ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds : 12000pF @ 50V
    ویژگی FET : -
    قطع برق (حداکثر) : 300W (Tc)
    دمای کارکرد : -55°C ~ 175°C (TJ)
    نوع نصب : Through Hole
    بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : PG-TO262-3
    بسته / کیس : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IPA60R520CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3.

    • IPA60R600CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3.

    • IPA60R250CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3.