شماره قطعه :
RN1110MFV,L3F
شرکت تولید کننده :
Toshiba Semiconductor and Storage
شرح :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
نوع ترانزیستور :
NPN - Pre-Biased
جریان - جمع کننده (ضبط) (حداکثر) :
100mA
ولتاژ - جمع شونده Emitter Breakdown (حداکثر) :
50V
مقاومت - پایه (R1) :
4.7 kOhms
مقاومت - Emitter Base (R2) :
-
افزایش جریان فعلی DC (hFE) (حداقل) @ Ic ، Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce اشباع (حداکثر) @ Ib، Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
جریان - قطع گردآورنده (حداکثر) :
100nA (ICBO)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
VESM