شماره قطعه :
TH58NYG2S3HBAI4
شرکت تولید کننده :
Toshiba Memory America, Inc.
شرح :
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
فن آوری :
FLASH - NAND (SLC)
اندازه حافظه :
4Gb (512M x 8)
نوشتن زمان چرخه - کلمه ، صفحه :
25ns
تامین کننده ولتاژ :
1.7V ~ 1.95V
دمای کارکرد :
-40°C ~ 85°C (TA)
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
63-BGA (9x11)