شماره قطعه :
MSRT20060(A)D
شرکت تولید کننده :
GeneSiC Semiconductor
شرح :
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
پیکربندی دیود :
1 Pair Series Connection
ولتاژ - Reverse DC (Vr) (حداکثر) :
600V
جریان - میانگین تصحیح شده (Io) (در هر دیود) :
200A
ولتاژ - به جلو (Vf) (حداکثر) @ If :
1.1V @ 200A
سرعت :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
زمان بازیابی معکوس (trr) :
-
جریان - نشت معکوس @ Vr :
10µA @ 600V
دمای کارکرد - اتصال :
-55°C ~ 150°C
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده :
Three Tower