EPCOS (TDK) - B65808C2005X000

KEY Part #: K7308766

B65808C2005X000 قیمت گذاری (USD) [194835قطعه سهام]

  • 1 pcs$0.16611
  • 10 pcs$0.13763
  • 25 pcs$0.11865
  • 50 pcs$0.10678
  • 100 pcs$0.09492
  • 250 pcs$0.08543
  • 500 pcs$0.07831
  • 1,000 pcs$0.06644
  • 5,000 pcs$0.06170

شماره قطعه:
B65808C2005X000
شرکت تولید کننده:
EPCOS (TDK)
توصیف همراه با جزئیات:
INSULATING WASHER RM 6. Ferrite Cores & Accessories WAS-RM6-2 MAKROFOL KL3
Manufacturer's standard lead time:
در انبار
ماندگاری:
یک سال
تراشه از:
هنگ کنگ
RoHS:
روش پرداخت:
راه حمل و نقل:
دسته بندی های خانوادگی:
شرکت KEY کامپوننت ، محدود توزیع کننده قطعات الکترونیکی است که دسته بندی محصولات از جمله: سیم مغناطیسی, هسته های فریت and Bobbins (سازنده کوئل) ، نصب ، سخت افزار را ارائه می دهد ...
مزیت رقابتی:
We specialize in EPCOS (TDK) B65808C2005X000 electronic components. B65808C2005X000 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for B65808C2005X000, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

B65808C2005X000 ویژگی های محصول

شماره قطعه : B65808C2005X000
شرکت تولید کننده : EPCOS (TDK)
شرح : INSULATING WASHER RM 6
سلسله : B65808
وضعیت قسمت : Active
نوع لوازم جانبی : Insulating Washer
برای استفاده با / محصولات مرتبط : RM
بسته بندی دستگاه ارائه دهنده : RM 6

شما همچنین ممکن است علاقه مند شوید
  • HCPL-4661-020E

    Broadcom Limited

    OPTOISO 5KV 2CH OPEN COLL 8DIP. High Speed Optocouplers 2Ch 5mA 600mW

  • HCPL-7710-060E

    Broadcom Limited

    OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 8DIP. High Speed Optocouplers 1Ch 10mA 600mW

  • HCPL-7710-020

    Broadcom Limited

    OPTOISO 5KV PUSH PULL 8DIP. High Speed Optocouplers 1Ch 10mA 600mW

  • ADUM1447ARSZ

    Analog Devices Inc.

    DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 20SSOP.

  • ACPL-3130-500E

    Broadcom Limited

    OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP GW. Logic Output Optocouplers 2.5A IGBT Gate Drive

  • HCPL-2300#560

    Broadcom Limited

    OPTOISO 3.75KV OPEN COLL 8DIP GW. High Speed Optocouplers 8MBd 1Ch 4mA